Samsung Pm9e1 Ssd 1tb M.2 Nvme Pcie Gen 5.0 2280 Tlc Disco Stato Solido Pc_

1Codice simpletek: 32420

Condizioni: NUOVO - Prodotto nuovo e mai utilizzato. Condizioni impeccabili e senza segni di usura.

Garanzia: 24 mesi

Capacità di archiviazione: 1TB

Fattore di forma: M.2

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Descrizione

Unità a stato solido (SSD) da 1TB in fattore di forma M.2 2280, basata sulla tecnologia PCIe Gen 5.0 e memorie flash TLC di ultima generazione. Progettato per offrire prestazioni di trasferimento dati sbalorditive, questo disco rappresenta la soluzione definitiva per gamer estremi, professionisti dell'editing video, creatori di contenuti e possessori di PC o workstation di fascia alta che richiedono velocità di lettura e scrittura senza compromessi.

L'interfaccia NVMe di quinta generazione garantisce un'ampiezza di banda eccezionale, riducendo drasticamente i tempi di avvio del sistema operativo, il caricamento dei giochi più pesanti e l'elaborazione di file di grandi dimensioni. Grazie alla struttura compatta e all'elevata efficienza energetica, assicura una gestione termica ottimale e una stabilità operativa costante anche durante i carichi di lavoro più intensi e continuativi. Sfruttando le potenzialità dei canali di comunicazione più avanzati, questo componente assicura una reattività di sistema senza precedenti, eliminando qualsiasi collo di bottiglia nei flussi di lavoro professionali più esigenti e offrendo una longevità operativa superiore grazie a standard costruttivi rigorosi e a un'avanzata protezione contro la perdita dati.

Specifiche Tecniche Dettagliate

• Capacità di archiviazione: 1TB (1000 GB) di spazio ad alte prestazioni per file di grandi dimensioni, giochi e applicazioni professionali.

• Fattore di forma: M.2 2280 (compatibile con slot standard da 22 mm di larghezza e 80 mm di lunghezza per schede madri e laptop supportati).

• Interfaccia di comunicazione: PCIe Gen 5.0 x4 (Peripheral Component Interconnect Express di quinta generazione) con protocollo NVMe.

• Tecnologia di memoria flash: TLC (Triple-Level Cell) NAND di ultima generazione per un perfetto bilanciamento tra densità di archiviazione, velocità e durata.

• Velocità di lettura sequenziale: Prestazioni di picco elevate rese possibili dalla larghezza di banda dell'interfaccia Gen 5.0.

• Velocità di scrittura sequenziale: Ottimizzata per la scrittura rapida di file pesanti, rendering e trasferimenti di dati massivi.

• Efficienza energetica: Gestione avanzata dei consumi per ridurre l'impatto termico e preservare l'autonomia nei dispositivi portatili o nelle configurazioni compatte.

• Affidabilità e sicurezza: Sistemi integrati per la correzione degli errori, protezione termica e gestione dinamica del calore per prevenire il thermal throttling durante le sessioni di carico prolungato.

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